|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 221 van 295 gevonden artikelen
| Titel: |
Reducing the specific on-resistance for a trench-gate-integrated SOI LDMOS by using the double silicon drift layers |
| Auteur: |
Wang, Yuan Hu, Shengdong Liu, Chang Wang, Jian'an Yang, Han Ran, Shenglong Jiang, Jie Guo, Gang |
| Verschenen in: |
Results in physics |
| Paginering: | Jaargang 19 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 221 van 295 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |