|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 48 van 149 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of interlayer on resistive switching properties of SnO2-based memristor for synaptic application |
| Auteur: |
Rahmani, Mehr Khalid Ismail, Muhammad Mahata, Chandreswar Kim, Sungjun |
| Verschenen in: |
Results in physics |
| Paginering: | Jaargang 18 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Author(s) |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 48 van 149 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |