|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 120 van 149 gevonden artikelen
| Titel: |
Resistive switching characteristics and mechanism of bilayer HfO2/ZrO2 structure deposited by radio-frequency sputtering for nonvolatile memory |
| Auteur: |
Ismail, Muhammad Batool, Zahida Mahmood, Khalid Manzoor Rana, Anwar Yang, Byung-Do Kim, Sungjun |
| Verschenen in: |
Results in physics |
| Paginering: | Jaargang 18 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Author(s) |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 120 van 149 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |