|
Effect of doping with M (M=Al, Pd, Ti, Ge) on the electronic structure and hydrogen diffusion behavior of amorphous silicon |
|
|
|
Titel: |
Effect of doping with M (M=Al, Pd, Ti, Ge) on the electronic structure and hydrogen diffusion behavior of amorphous silicon |
Auteur: |
Bian, Zongkun Zhang, Qiankun Zhang, Haimin Tang, Fuling Ma, Zhewen Lan, Xuan Luo, Yongchun |
Verschenen in: |
Computational and theoretical chemistry |
Paginering: |
Jaargang 1242 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2024 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|