|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
PL and ESR study for defect centers in 4H-SiC induced by oxygen ion implantation |
| Auteur: |
Cheng, Guo-Dong Chen, Ye Yan, Long Shen, Rong-Fang |
| Verschenen in: |
Nuclear science and techniques |
| Paginering: | Jaargang 28 (2017) nr. 8 pagina's 1-6 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Singapore, Singapore |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |