|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 40 van 140 gevonden artikelen
| Titel: |
Excitation Dependence of Photoluminescence in the 1.5-1.6 μm Wavelength Region from Grown Dislocation-Rich Si Layers |
| Auteur: |
Shklyaev, A.A. Latyshev, A.V. Ichikawa, M. |
| Verschenen in: |
Physics procedia |
| Paginering: | Jaargang 32 (2012) nr. C pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 40 van 140 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |