|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of Al-doped p-type BaSi 2 films by molecular beam epitaxy and the effect of high-temperature annealing on their electrical properties |
| Auteur: |
Takeishi, M. Matsumoto, Y. Sasaki, R. Saito, T. Suemasu, T. |
| Verschenen in: |
Physics procedia |
| Paginering: | Jaargang 11 (2011) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |