|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 25 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth rate and composition of InGaN during InGaN/GaN quantum wells selective area metal-organic vapor phase epitaxy considering surface diffusion |
| Auteur: |
So, Byung Moon Youn, Suk Bum Im, Ik-Tae |
| Verschenen in: |
Journal of industrial and engineering chemistry |
| Paginering: | Jaargang 19 (2013) nr. 5 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Korean Society of Industrial and Engineering Chemistry |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 25 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |