|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Behavior of oxide regrowth during the selective Si3N4 etching process on 3D NAND structures using finite element computational simulations |
| Auteur: |
Kim, Taehyeon Park, Taegun Lee, Yuseok Han, Jongwon Lim, Sangwoo |
| Verschenen in: |
Journal of industrial and engineering chemistry |
| Paginering: | Jaargang 130 () nr. C pagina's 592-599 |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Korean Society of Industrial and Engineering Chemistry |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |