|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
High resolution X-ray diffraction study of defect structures produced by high d.c. electric fields in silicon single crystals |
| Auteur: |
Lal, Krishan Goswami, S.N.N. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering |
| Paginering: | Jaargang 85 (1987) nr. C pagina's 10 p. |
| Jaar: |
1987 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |