|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Observation of electron and hole traps in hydrogenated amorphous silicon by voltage- and laser-excited deep level transient spectroscopy |
| Auteur: |
Cohen, J.D. Lang, D.V. Harbison, J.P. Bean, J.C. |
| Verschenen in: |
Solar cells |
| Paginering: | Jaargang 2 (1980) nr. 3 pagina's 17 p. |
| Jaar: |
1980 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |