|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
A new 2 D mathematical modeling of surrounding gate triple material tunnel FET using halo engineering for enhanced drain current |
| Auteur: |
Vanitha, P. Arun Samuel, T.S. Nirmal, D. |
| Verschenen in: |
A.E.Ü. |
| Paginering: | Jaargang 99 (2019) nr. C pagina's 34-39 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier GmbH |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |