|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved RF and DC performance in AlGaN/GaN HEMT by P-type doping in GaN buffer for millimetre-wave applications |
| Auteur: |
Arivazhagan, L. Nirmal, D. Godfrey, D. Ajayan, J. Prajoon, P. Augustine Fletcher, A.S. Amir Anton Jone, A. Raj Kumar, J.S. |
| Verschenen in: |
A.E.Ü. |
| Paginering: | Jaargang 108 (2019) nr. C pagina's 189-194 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier GmbH |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |