|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 83 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of buried insulating layers in silicon by the implantation of high doses of oxygen |
| Auteur: |
Hemment, P.L.F. Maydell-Ondrusz, E. Stephens, K.G. Butcher, J. Ioannou, D. Alderman, J. |
| Verschenen in: |
Nuclear instruments and methods in physics research |
| Paginering: | Jaargang 209-210 (1983) nr. P1 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 83 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |