|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 64 gevonden artikelen
| Titel: |
A Novel Asymmetric Trench SiC MOSFET with L-shaped Split Gate for Low Power Consumption and Fast Recovery |
| Auteur: |
Chen, Weizhong Deng, Zhijie Chen, Zesheng Zhou, Yangqi Han, Zhengsheng Wang, Zeheng |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 54 () nr. 6 pagina's 4786-4797 |
| Jaar: |
2025-04-16 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 64 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |