|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 43 van 78 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of Gate Angle Variations on DC and RF Performance of Enhancement-Mode Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.07Ga0.93N MIS-HEMT Device |
| Auteur: |
Lino, L. Saravana Kumar, R. Leeban Moses, M. Mohanbabu, A. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 54 () nr. 3 pagina's 2447-2459 |
| Jaar: |
2025-01-17 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 43 van 78 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |