|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 28 van 75 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvement of Breakdown Characteristic for a Novel GaN HEMT with Enhanced Resistance Single-Event Transient Effect |
| Auteur: |
Sun, Shuxiang Zhang, Yajun Si, Yihan Xiong, Juan Luo, Xiaorong |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 54 () nr. 1 pagina's 784-791 |
| Jaar: |
2024-11-15 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 28 van 75 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |