|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 47 van 65 gevonden artikelen
| Titel: |
Origin of Double-Rhombic Single Shockley Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layers |
| Auteur: |
Nishio, Johji Ota, Chiharu Iijima, Ryosuke |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 52 () nr. 1 pagina's 679-690 |
| Jaar: |
2022-10-31 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 47 van 65 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |