|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
A 28-GHz Low-Loss AlGaN/GaN HEMT for TX/RX Switches in 5G Base Stations |
| Auteur: |
Fletcher, A. S. Augustine Nirmal, D. Arivazhagan, L. Ajayan, J. Raj, Merlin Gilbert Hamza, K. Husna Murugapandiyan, P. Natarajan, Ramkumar |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 51 () nr. 3 pagina's 1215-1225 |
| Jaar: |
2022-01-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |