|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Polarization-Engineered p-Type Electron-Blocking-Layer-Free III-Nitride Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes for Enhanced Carrier Transport |
| Auteur: |
Velpula, Ravi Teja Jain, Barsha Lenka, Trupti Ranjan Wang, Renjie Nguyen, Hieu Pham Trung |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 51 () nr. 2 pagina's 838-846 |
| Jaar: |
2022-01-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |