|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
InSb/Si Heterojunction-Based Tunnelling Field-Effect Transistor with Enhanced Drive Current and Steep Switching |
| Auteur: |
Swain, Sukanta Kumar Malviya, Nishit Singh, Sangeeta Sharma, Shashi Kant |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 51 () nr. 2 pagina's 704-711 |
| Jaar: |
2021-11-29 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |