|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhancement in Analog/RF and Power Performance of Underlapped Dual-Gate GaN-Based MOSHEMTs with Quaternary InAlGaN Barrier of Varying Widths |
| Auteur: |
Mukherjee, Hrit Kar, Mousiki Kundu, Atanu |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 51 () nr. 2 pagina's 692-703 |
| Jaar: |
2021-11-21 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |