|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 55 gevonden artikelen
| Titel: |
High Radiative Recombination Rate of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with AlInGaN/AlInN/AlInGaN Tunnel Electron Blocking Layer |
| Auteur: |
Jamil, Tariq Usman, Muhammad Jamal, Habibullah Khan, Sibghatullah Rasheed, Saad Ali, Shazma |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 50 () nr. 10 pagina's 5612-5617 |
| Jaar: |
2021-07-08 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 55 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |