|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 80 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical Modeling of ZrO2, HfO2 and SiO2 Effect over Tunneling Field Effect Transistor |
| Auteur: |
Kamali Moghaddam, Mohammad Moslemi, Mohammad Farzaneh, Mojtaba |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 49 () nr. 2 pagina's 1467-1472 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 80 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |