|
Properties of Iodine-Doped CdTe Layers on (211) Si Grown at High Substrate Temperatures by MOVPE |
|
|
|
Titel: |
Properties of Iodine-Doped CdTe Layers on (211) Si Grown at High Substrate Temperatures by MOVPE |
Auteur: |
Niraula, M. Yasuda, K. Torii, R. Higashira, Y. Tamura, R. Chaudhari, B. S. Kobayashi, T. Goto, H. Fujii, S. Agata, Y. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 49 () nr. 11 pagina's 6996-6999 |
Jaar: |
2020-08-28 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|