|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 85 gevonden artikelen
| Titel: |
AlN/GaN HEMT with Gate Insulation and Current Collapse Suppression Using Thermal ALD ZrO2 |
| Auteur: |
Chen, Fan Zhang, Lin-Qing Wang, Peng-Fei |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 48 (2019) nr. 11 pagina's 7076-7080 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 85 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |