|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 102 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of the Forward I–V Characteristics of Al-Implanted 4H-SiC p-i-n Diodes with Modeling of Recombination and Trapping Effects Due to Intrinsic and Doping-Induced Defect States |
| Auteur: |
Megherbi, M. L. Pezzimenti, F. Dehimi, L. Saadoune, A. Della Corte, F. G. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 47 (2017) nr. 2 pagina's 1414-1420 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 102 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |