|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 42 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of Doping Concentration Variations in PVT-Grown 4H-SiC Wafers |
| Auteur: |
Yang, Yu Guo, Jianqiu Goue, Ouloide Raghothamachar, Balaji Dudley, Michael Chung, Gil Sanchez, Edward Quast, Jeff Manning, Ian Hansen, Darren |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2016) nr. 4 pagina's 2066-2070 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 42 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |