|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Dopant in Near-Surface Semiconductor Layers of Metal–Insulator–Semiconductor Structures Based on Graded-Gap
p-Hg0.78Cd0.22Te Grown by Molecular-Beam Epitaxy |
| Auteur: |
Voitsekhovskii, A. V. Nesmelov, S. N. Dzyadukh, S. M. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2015) nr. 2 pagina's 881-891 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |