|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Charged Defects-Induced Resistive Switching in Sb2Te3 Memristor |
| Auteur: |
Zhang, J. J. Liu, N. Sun, H. J. Yan, P. Li, Y. Zhong, S. J. Xie, S. Li, R. J. Miao, X. S. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2015) nr. 2 pagina's 1154-1159 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |