|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of Leakage Current Mechanisms in La2O3/SiO2/4H-SiC MOS Capacitors with Varied SiO2 Thickness |
| Auteur: |
Wang, Yucheng Jia, Renxu Zhao, Yanli Li, Chengzhan Zhang, Yuming |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2016) nr. 11 pagina's 5600-5605 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |