|
Hydrogenation Defect Passivation for Improved Minority Carrier Lifetime in Midwavelength Ga-Free InAs/InAsSb Superlattices |
|
|
|
Titel: |
Hydrogenation Defect Passivation for Improved Minority Carrier Lifetime in Midwavelength Ga-Free InAs/InAsSb Superlattices |
Auteur: |
Hossain, K. Höglund, L. Phinney, L. C. Golding, T. D. Wicks, G. Khoshakhlagh, A. Ting, D. Z.-Y. Soibel, A. Gunapala, S. D. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 45 (2016) nr. 11 pagina's 5626-5629 |
Jaar: |
2016 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|