|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
An Analytical Threshold Voltage Model of Fully Depleted (FD) Recessed-Source/Drain (Re-S/D) SOI MOSFETs with Back-Gate Control |
| Auteur: |
Saramekala, Gopi Krishna Tiwari, Pramod Kumar |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2016) nr. 10 pagina's 5367-5374 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |