|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 99 van 102 gevonden artikelen
| Titel: |
Well Thickness Dependence of the Internal Quantum Efficiency and Carrier Concentration in GaN-Based Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes |
| Auteur: |
Zhao, Kun Yang, Xiufang Xu, Bing Li, Ding Wang, Cunda Feng, Liefeng |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 45 (2015) nr. 1 pagina's 786-790 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 99 van 102 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |