|
Nonradiative Recombination, Carrier Localization, and Emission Efficiency of AlGaN Epilayers with Different Al Content |
|
|
|
Titel: |
Nonradiative Recombination, Carrier Localization, and Emission Efficiency of AlGaN Epilayers with Different Al Content |
Auteur: |
Mickevičius, J. Podlipskas, Ž. Aleksiejūnas, R. Kadys, A. Jurkevičius, J. Tamulaitis, G. Shur, M. S. Shatalov, M. Yang, J. Gaska, R. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 44 (2015) nr. 12 pagina's 4706-4709 |
Jaar: |
2015 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|