|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 110 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical Bistabilities and Conduction Mechanisms of Nonvolatile Memories Based on a Polymethylsilsesquioxane Insulating Layer Containing CdSe/ZnS Quantum Dots |
| Auteur: |
Ma, Zehao Ooi, Poh Choon Li, Fushan Yun, Dong Yeol Kim, Tae Whan |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 44 (2015) nr. 10 pagina's 3962-3966 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 110 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |