|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 110 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of Carbon Doping and Crystalline Quality on the Vertical Breakdown Characteristics of GaN Layers Grown on 200-mm Silicon Substrates |
| Auteur: |
Wang, W. Z. Selvaraj, S. L. Win, K. T. Dolmanan, S. B. Bhat, T. Yakovlev, N. Tripathy, S. Lo, G. Q. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 44 (2015) nr. 10 pagina's 3272-3276 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 110 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |