|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 50 gevonden artikelen
| Titel: |
Interface Electron Traps as a Source of Anomalous Capacitance in AlGaN/GaN Heterostructures |
| Auteur: |
Osvald, J. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 42 (2013) nr. 6 pagina's 1184-1189 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 50 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |