|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication and Simulation of an Indium Gallium Arsenide Quantum-Dot-Gate Field-Effect Transistor (QDG-FET) with ZnMgS as a Tunnel Gate Insulator |
| Auteur: |
Chan, P.-Y. Gogna, M. Suarez, E. Al-Amoody, F. Karmakar, S. Miller, B. I. Heller, E. K. Ayers, J. E. Jain, F. C. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 42 (2013) nr. 11 pagina's 3259-3266 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |