|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Determination of Critical Thickness for Epitaxial ZnTe Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy on (211)B and (100) GaSb Substrates |
| Auteur: |
Chai, J. Noriega, O. C. Dedigama, A. Kim, J. J. Savage, A. A. Doyle, K. Smith, C. Chau, N. Pena, J. Dinan, J. H. Smith, D. J. Myers, T. H. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 42 (2013) nr. 11 pagina's 3090-3096 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |