|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Depth Profiling of Electronic Transport Parameters in n-on-p Boron-Ion-Implanted Vacancy-Doped HgCdTe |
| Auteur: |
Umana-Membreno, G. A. Kala, H. Antoszewski, J. Ye, Z. H. Hu, W. D. Ding, R. J. Chen, X. S. Lu, W. He, L. Dell, J. M. Faraone, L. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 42 (2013) nr. 11 pagina's 3108-3113 |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |