|
Depth Profiling of Electronic Transport Parameters in n-on-p Boron-Ion-Implanted Vacancy-Doped HgCdTe |
|
|
|
Titel: |
Depth Profiling of Electronic Transport Parameters in n-on-p Boron-Ion-Implanted Vacancy-Doped HgCdTe |
Auteur: |
Umana-Membreno, G. A. Kala, H. Antoszewski, J. Ye, Z. H. Hu, W. D. Ding, R. J. Chen, X. S. Lu, W. He, L. Dell, J. M. Faraone, L. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 42 (2013) nr. 11 pagina's 3108-3113 |
Jaar: |
2013 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, Boston |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|