|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Realization of the Switching Mechanism in Resistance Random Access Memory™ Devices: Structural and Electronic Properties Affecting Electron Conductivity in a Hafnium Oxide–Electrode System Through First-Principles Calculations |
| Auteur: |
Aspera, Susan Meñez Kasai, Hideaki Kishi, Hirofumi Awaya, Nobuyoshi Ohnishi, Shigeo Tamai, Yukio |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 42 (2012) nr. 1 pagina's 143-150 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |