|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of a Room-Temperature Silicon Quantum Dot-Based Single-Electron Transistor and the Effect of Energy-Level Broadening on Its Performance |
| Auteur: |
Miralaie, M. Leilaeioun, M. Abbasian, K. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 42 (2012) nr. 1 pagina's 47-57 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |