|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
Erratum to: Controlling n-Type Carrier Density from Er Doping
of InGaAs with MBE Growth Temperature |
| Auteur: |
Burke, Peter G. Buehl, Trevor E. Pernot, Gilles Lu, Hong Shakouri, Ali Palmstrom, Chris J. Bowers, John E. Gossard, Arthur C. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 41 (2012) nr. 11 pagina's 3247 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |