|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of Cycle Annealing Parameters on Dislocation Density Reduction for HgCdTe on Si |
| Auteur: |
Farrell, S. Rao, Mulpuri V. Brill, G. Chen, Y. Wijewarnasuriya, P. Dhar, N. Benson, D. Harris, K. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 40 (2011) nr. 8 pagina's 1727-1732 |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |