Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 6 van 16 gevonden artikelen
 
 
  Fabrication of Metal–Oxide–Diamond Field-Effect Transistors with Submicron-Sized Gate Length on Boron-Doped (111) H-Terminated Surfaces Using Electron Beam Evaporated SiO2 and Al2O3
 
 
Titel: Fabrication of Metal–Oxide–Diamond Field-Effect Transistors with Submicron-Sized Gate Length on Boron-Doped (111) H-Terminated Surfaces Using Electron Beam Evaporated SiO2 and Al2O3
Auteur: Saito, Takeyasu
Park, Kyung-ho
Hirama, Kazuyuki
Umezawa, Hitoshi
Satoh, Mitsuya
Kawarada, Hiroshi
Liu, Zhi-Quan
Mitsuishi, Kazutaka
Furuya, Kazuo
Okushi, Hideyo
Verschenen in: Journal of electronic materials
Paginering: Jaargang 40 (2011) nr. 3 pagina's 247-252
Jaar: 2011
Inhoud:
Uitgever: Springer US, Boston
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 6 van 16 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland