|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep Traps in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Studied by Current-Mode Deep-Level Transient Spectroscopy: Influence of Device Location |
| Auteur: |
Fang, Z.-Q. Claflin, B. Look, D.C. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 40 (2011) nr. 12 pagina's 2337-2343 |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |