|
Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging |
|
|
|
Titel: |
Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging |
Auteur: |
Twigg, M. E. Picard, Y. N. Caldwell, J. D. Eddy, C. R. Mastro, M. A. Holm, R. T. Neudeck, P. G. Trunek, A. J. Powell, J. A. |
Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
Paginering: |
Jaargang 39 (2010) nr. 6 pagina's 743-746 |
Jaar: |
2010 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, Boston |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|