|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs as a Function of Etch Depth |
| Auteur: |
Anderson, T.J. Tadjer, M.J. Mastro, M.A. Hite, J.K. Hobart, K.D. Eddy, C.R. Kub, F.J. |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 39 (2010) nr. 5 pagina's 478-481 |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |