|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Generation of Defects in Heavily Al-Doped 4H-SiC Epitaxial Layers Grown by the Low-Temperature Halo-Carbon Method |
| Auteur: |
Das, Hrishikesh Krishnan, Bharat Kotamraju, Siva Prasad Koshka, Yaroslav |
| Verschenen in: |
Journal of electronic materials |
| Paginering: | Jaargang 39 (2010) nr. 5 pagina's 534-539 |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |